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名 稱:安徽省思達新材料科技有限公司
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地 址:合肥市廬陽產業園北方置業10號
- 我公司生產的99.99%以上的高純硒,已應用在CuInGaSSe太陽能電池材料;同時廣泛應用在電子材料上,如硒半導體、硒整流器、激光打印機用硒鼓等方面。 CIGSSe薄膜太陽能電池中的薄膜主要有5種材料合成,其中高純硒的含量在90%以上。 CIGSSe薄膜太陽能電池原材料避開了緊缺的晶體硅,它的薄膜厚度只有2微米(晶體硅電池200微米),材料消耗很少。CIGSSe薄膜材料電池對可見光的吸收系數是其他薄膜電池中*高的,從而成為轉換效率*高的薄膜電池,它的材料成本只有晶體硅電池的一半,而能耗不到晶體硅電池的三分之一。 在規模化生產的太陽能電池中,CIGSSe薄膜太陽電池的同功率組件發電量是*高的,也就是能量回收期*短。它的回收期只有一年,非晶硅太陽電池1年半,晶體硅是2年以上。CIGSSe薄膜太陽電池能適應高宇宙射線輻射,特殊氣象條件等惡劣環境,長期穩定性是各種電池中******的。CIGSSe薄膜太陽能電池使用過程中熱斑效應小,在陰天、太陽初升或西斜等小角度入射等情況下仍然具有良好的發電性能,而晶體硅電池在弱光或光線小角度入射情況下發電能力急劇下降。
思達牌99.999%硒錠 思達牌99.999%硒粒 思達牌99.999%硒粉 思達牌99.99%硒粉 高純硒(99.99%~99.999%)
(1)用于遠紅外玻璃、光學鏡片等領域:
a.雜質含量(不大于100ppm):Ag Bi Cd Co Ga Te Mg AL Cu P Pb Ni 1 2 2 0.5 0.5 2 2 5 3 10 5 0.5 Mn Fe S Sn As CL、Br 5 9 10 5 20 1 0
c、包裝:真空封裝。
(2)用于化合物半導體材料、太陽能光伏電池等領域 :
a、雜質含量(不大于50ppm):Ag Bi Cd Co Ga Te Mg AL Cu P Pb Ni 0.06 0.1 0.06 0.2 0.2 0.5 0.2 0.4 0.1 0.5 0.3 0.5 Mn Fe S Si Ti In Sb B Sn As CL Br 0.2 1 2 1 0.3 0.005 0.2 0.3 3 1 0.5 0.5
c、包裝:真空封裝。
(3)用于電子材料等領域:
a、雜質含量(不大于10ppm):Ag Bi Cd Co Ga Te Mg AL Cu P Pb Ni 0.05 0.1 0.06 0.2 0.14 0.5 0.2 0.4 0.1 0.5 0.3 0.5 Mn Fe S Si Ti In Sb B Sn As CL Br 0.2 1 2 0.5 0.3 0.005 0.2 0.3 0.3 1 0.5 0.5
c、包裝:真空封裝。